半導體硅片
在IC芯片制造領域中，等離子體處理技術已是一種不可替代的成熟工藝，不論在芯片源離子的注入，還是晶元的鍍膜，亦或是我們的低溫等離子體表面處理設備所能達到的：在晶元表面去除氧化膜、有機物、去掩膜等超凈化處理及表面活化提高晶元表面浸潤性。
引線框架的表面處理
微電子封裝領域采用引線框架的塑封形式，仍占到80%以上，其主要采用導熱性、導電性、加工性能良好的銅合金材料作為引線框架，銅的氧化物與其它一些有機污染物會造成密封模塑與銅引線框架的分層，造成封裝后密封性能變差與慢性滲氣現象，同時也會影響芯片的粘接和引線鍵合質量，確保引線框架的超潔凈是保證封裝可靠性與良率的關鍵，經等離子體處理可達到引線框架表面超凈化和活化的效果，成品良率比傳統的濕法清洗會極大的提高，并且免除了廢水排放，降低化學藥水采購成本。
COB/COG/COF
隨著智能手機的飛速發展，人們對手機攝像頭像素的要求越來越高，如今用傳統的CSP封裝工藝制造的手機攝像模組像素已達不到人們的需求，而用COB/COG/COF封裝工藝制造的手機攝像模組已被大量的運用到了現在的千萬像素的手機中，但其制造的良率因其工藝特性往往只有85%左右，而造成的手機良率不高的原因主要在于離心清洗機和超聲波清洗做不到高潔凈度的清洗holder及Pad表面污染物，致使holder與IR粘接力不高及bonding不良的問題，經等離子體處理后能超潔凈的去除holder上的有機污染物和活化基材，使其與IR粘接力能提高2~3倍，也能去除Pad表面的氧化物并粗化表面，極大的提升了banding的一次成功率。
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